"Epitaxialは‘配置された’を意味するギリシャ語に由来し、半導体技術用語では単結晶膜の構造を意味します。シリコン原子がCVDリアクターの中で裸のシリコンウェハーに堆積すると、この構造がつくられます。この化学反応物質が制御され、システムパラメータが正しくセットされた場合、ウェハー表面に堆積した原子は表面を移動するエネルギーを持ち、自らをウェハー原子の結晶構造につくりあげます。したがって、<111>方位のウェハーに堆積したエピタキシャル膜は、<111>方位を持ちます。

一方、もしウェハー表面にシリコン二酸化物膜、非晶質表層、あるいは雑菌混入があると、堆積した原子は整列するすべを持ちません。その結果ポリシリコン膜の構造が生じます。これはMOSゲートなどのアプリケーションに利用できますが、単結晶膜構造を成長させる目的には無用です"

Microchip Fabrication fourth edition by Peter Van Zant, © 2000

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